- Materiale : Nucleo nanocristallino a base di ferro
- Forma : Striscia
- Certificazione : ISO9001
- Trademark: PERFECT
- Packing: Wooden Pallet Case
- Standard: various size
- Origin: China
- HS Code: 7226190000
- Production Capacity: 100000000
Nastri di Nanocrystalline e nastri amorfi
DESCRIZIONE
nastri Tecnico di assistenza-basati di Nanocrystalline Può Essere utilizzato per soppiantare l'acciaio, il permalloy ed il ferrito del silicone come materiali brillanti per fare i centri del trasformatore per la alto-ricorrenza passare i rifornimenti di controllo di modo.
Memorie cristalline Nano Sono le memorie basate ferro che è Un materiale attraente fragile insolitamente sviluppato con lo striction basso del magnete, l'alto spessore di transizione di immersione di penetrabilità Di 1.25t e la temperatura di funzionamento centigrado di 120 gradi o più Memorie di Nanocrystalline essere accessibile nel tipo di centri toroidal o stadio formati della legare-ferita. Il materiale in se è Fragile e richiede un'assicurazione contro le alimentazioni mecaniche, che è Data dalle caselle di plastica di memoria o da una copertura resistente di calore ragionevole. Una volta che coperto o inscatolato, i centri sono stupefacente calorosi e le proprietà Attraenti principali sono altamente lineari e non molto dipendente dalla temperatura.
CATECH Memorie di Nanocrystalline è Stato considerato come il materiale più Fine per la fabbricazione del trasformatore
APPLICAZIONE
Modo comune di contabilità Elettromagnetica, bobine d'arresto del filtrante di modo normale
Memorie per il trasformatore principale del trasformatore dell'alimentazione elettrica e di controllo dell'interruttore
Memorie differenti di esattezza CT/VT
memorie dell'assassino di impulso e di Magnetico-ampè Re
INDICE ANALITICO DI PRESTAZIONE
Punto | Prestazione |
---|---|
Saturare l'induzione BS (T) | 1.25 |
Temperatura di curie | 570 |
Cristallizzazione | 500 |
Durezza | 880 |
Magnetostrizione | 2.0x10-6 |
Densità (g/cm3) | 7.2 |
Resistività (μ Ω . Cm) | 130 |
Μm di spessore | 20~35 |
1K107B NANOCRYSTALLINE ASSOTTIGLIANO l'INDICE ANALITICO di PRESTAZIONE del NASTRO
Punto | Prestazione |
---|---|
Spessore (millimetri) | 0.018-0.025 |
Α di fattore della pila | > 0.8 |
Induzione magnetica B800/T | ≥ 1.2 |
Hc/(l'A/M) | ≤ 1.6 |
Perdita P0.5T/20k/(W/kg) di memoria | ≤ 25 |
Memoria LossP0.3T/100k/(W/kg) | ≤ 100 |
Μ di permeabilità (1kHz) | ≥ 70000 |
Μ di permeabilità (10kHz) | ≥ 60000 |
Μ di permeabilità (100kHz) | ≥ 10000 |
º C di temperatura di curie | 570 |
º C di temperatura di funzionamento | - 50~120 |
Magnetostrizione s | < 2x10-6 |